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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT46V32M16TG-5B IT:J
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3890095Imagen MT46V32M16TG-5B IT:JAlliance Memory, Inc.

MT46V32M16TG-5B IT:J

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT46V32M16TG-5B IT:J
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    MT46V32M16TG-5B IT:J.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    1450-1356
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    700ps

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V32M16TG-6T IT:F

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V32M16T67A3WC1

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Descripción: DDR 512M DIE 32MX16

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MT46V32M16P-75:C

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V32M16P-6T:F

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MT46V32M16P-75 IT:C

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MT46V32M16TG-5B:F

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