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Imagen AO4435L_103

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AO4435L_103

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Especificaciones

Número de pieza

AO4435L_103
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

14 mOhm @ 11A, 20V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

24nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 10.5A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10.5A (Ta)

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