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Imagen AOB1608L

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOB1608L

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Especificaciones

Número de pieza

AOB1608L
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 11A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOB1608L.pdf
2.AOB1608L.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3.7V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (D²Pak)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

7.3 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta), 333W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

785-1322-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3690pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

84nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 11A (Ta), 140A (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 140A (Tc)

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