AOC3870A

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Especificaciones

Número de pieza

AOC3870A
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AOC3870A.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

10-AlphaDFN (3.01x1.52)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3.7 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max

2.3W (Ta)
Paquete / Cubierta

10-SMD, No Lead
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 12V 22A (Ta) 2.3W (Ta) Surface Mount 10-AlphaDFN (3.01x1.52)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta)

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