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5527612Imagen AOD9N50Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOD9N50

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AOD9N50
  • Fabricante / Marca
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 500V 9A TO252
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.AOD9N50.pdf
    2.AOD9N50.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    860 mOhm @ 4.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    178W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    785-1485-1
  • Temperatura de funcionamiento
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    26 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1160pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    500V
  • Descripción detallada
    N-Channel 500V 9A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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