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Imagen AOK53S60L

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOK53S60L

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Especificaciones

Número de pieza

AOK53S60L
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 53A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOK53S60L.pdf
2.AOK53S60L.pdf
3.AOK53S60L.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

70 mOhm @ 26.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

520W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3034pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

59nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 53A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

53A (Tc)

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