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227476

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON2410

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Especificaciones

Número de pieza

AON2410
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AON2410.pdf
2.AON2410.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-DFN-EP (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

21 mOhm @ 8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres

785-1396-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

813pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 8A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount 6-DFN-EP (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

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