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1179762

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON6452

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Especificaciones

Número de pieza

AON6452
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 6.5A 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AON6452.pdf
2.AON6452.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-DFN (5x6)
Serie

SDMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta), 35W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerSMD, Flat Leads
Otros nombres

785-1231-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

34nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 6.5A (Ta), 26A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Ta), 26A (Tc)

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