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Imagen AON6508_101

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON6508_101

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Especificaciones

Número de pieza

AON6508_101
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AON6508_101.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-DFN (5x6)
Serie

AlphaMOS
RDS (Max) @Id, Vgs

3.2 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

4.2W (Ta), 41W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerSMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2010pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

49nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 29A (Ta), 32A (Tc) 4.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Ta), 32A (Tc)

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