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Imagen AON7932_101

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON7932_101

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Especificaciones

Número de pieza

AON7932_101
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AON7932_101.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-DFN (3x3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 6.6A, 10V
Potencia - Max

1.4W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

8-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.5nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.6A, 8.1A 1.4W Surface Mount 8-DFN (3x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.6A, 8.1A

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