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Imagen AOTF2610L

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOTF2610L

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Especificaciones

Número de pieza

AOTF2610L
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 35A TO220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOTF2610L.pdf
2.AOTF2610L.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3F
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10.7 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta), 31W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

785-1638-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2007pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 35A (Tc)

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