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5114109Imagen BLF6G27L-50BN,118Ampleon

BLF6G27L-50BN,118

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BLF6G27L-50BN,118
  • Fabricante / Marca
    Ampleon
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BLF6G27L-50BN,118.pdf
  • Voltaje - Prueba
    28V
  • Tensión - Calificación
    65V
  • Tipo de transistor
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Paquete del dispositivo
    CDFM6
  • Serie
    -
  • Alimentación - Salida
    3W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-1112A
  • Otros nombres
    934064686118
  • Figura de ruido
    -
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    16.5dB
  • Frecuencia
    2.5GHz ~ 2.7GHz
  • Descripción detallada
    RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6
  • Valoración actual
    -
  • Corriente - Prueba
    430mA
  • Número de pieza base
    BLF6G27

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Fabricantes: Ampleon
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Descripción: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B

Fabricantes: Ampleon
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Descripción: RF FET LDMOS 65V 17DB

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Descripción: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C

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Descripción: TRANS PWR LDMOS SOT502

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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Descripción: TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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Descripción: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121E

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Descripción: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A

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Descripción: RF FET LDMOS 65V SOT502A

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Descripción: RF FET LDMOS 65V SOT502A

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Descripción: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B

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Descripción: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B

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Descripción: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A

Fabricantes: Ampleon
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Descripción: RF FET LDMOS 65V SOT502A

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Descripción: TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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Descripción: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C

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