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6027818Imagen BLS6G2735LS-30,112Ampleon

BLS6G2735LS-30,112

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BLS6G2735LS-30,112
  • Fabricante / Marca
    Ampleon
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BLS6G2735LS-30,112.pdf
  • Voltaje - Prueba
    32V
  • Tensión - Calificación
    60V
  • Tipo de transistor
    LDMOS
  • Paquete del dispositivo
    CDFM2
  • Serie
    -
  • Alimentación - Salida
    30W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    SOT-1135B
  • Otros nombres
    568-9932-5
    934065972112
    BLS6G2735LS-30,112-ND
    BLS6G2735LS-30112
    BLS6G2735LS30112
  • Figura de ruido
    -
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    13 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    13dB
  • Frecuencia
    3.1GHz ~ 3.5GHz
  • Descripción detallada
    RF Mosfet LDMOS 32V 50mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 13dB 30W CDFM2
  • Valoración actual
    -
  • Corriente - Prueba
    50mA

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Fabricantes: Ampleon
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Descripción: RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A

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Descripción: RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221

Fabricantes: Ampleon
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Descripción: TRANSISTOR RF POWER SOT422A

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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Descripción: TRANSISTOR RF POWER SOT422A

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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RFQ
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Descripción: RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608B

Fabricantes: Ampleon
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Descripción: RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A

Fabricantes: Ampleon
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Descripción: TRANS S-BAND PWR LDMOS SOM038

Fabricantes: Ampleon
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Descripción: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B

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Descripción: TRANSISTOR RF POWER SOT445C

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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