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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > NE687M33-T3-A

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NE687M33-T3-A

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Especificaciones

Número de pieza

NE687M33-T3-A
Fabricante / Marca

CEL (California Eastern Laboratories)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANSISTOR NPN 2GHZ M33
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NE687M33-T3-A.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

3V
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

3-SuperMiniMold (M33)
Serie

-
Potencia - Max

90mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-SMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 2GHz
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Ganancia

-
Frecuencia - Transición

12GHz
Descripción detallada

RF Transistor NPN 3V 30mA 12GHz 90mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (M33)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 1V
Corriente - colector (Ic) (Max)

30mA
Número de pieza base

NE687

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