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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N5061 TR
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2389227Imagen 1N5061 TRCentral Semiconductor

1N5061 TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N5061 TR
  • Fabricante / Marca
    Central Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1N5061 TR.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    GPR-1A
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOD-88A, Axial
  • Otros nombres
    1N5061 TR LEAD FREE
    1N5061 TR PBFREE
    1N5061 TR-ND
    1N5061CSTR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 1A Through Hole GPR-1A
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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