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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2N3583
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5016079Imagen 2N3583Central Semiconductor

2N3583

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N3583
  • Fabricante / Marca
    Central Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 175V 1A TO-66
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2N3583.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    175V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    5V @ 125mA, 1A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-66
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    35W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-213AA, TO-66-2
  • Otros nombres
    2N3583 LEAD FREE
    2N3583 PBFREE
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    10MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 175V 1A 10MHz 35W Through Hole TO-66
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    40 @ 500mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1A

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