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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > 2N3809

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2N3809

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Especificaciones

Número de pieza

2N3809
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

2N3809.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

-
Tipo de transistor

2 PNP (Dual)
Paquete del dispositivo

TO-78-6
Serie

-
Potencia - Max

600mW
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-78-6 Metal Can
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

50mA

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