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BDW83C

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Especificaciones

Número de pieza

BDW83C
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

POWER TRANSISTOR NPN TO218
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

BDW83C.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

-
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-218
Serie

-
Potencia - Max

130W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-218-3
Otros nombres

BDW83CCS
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 15A 130W Through Hole TO-218
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 6A, 3V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

15A

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