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Imagen CMLDM3757 TR

Central Semiconductor

CMLDM3757 TR

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Especificaciones

Número de pieza

CMLDM3757 TR
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CMLDM3757 TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SOT-563
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Potencia - Max

350mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

CMLDM3757 TR PBFREE
CMLDM3757 TR-ND
CMLDM3757TR
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

19 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.58nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 350mW Surface Mount SOT-563
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

540mA, 430mA

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