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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > CMLT3906E TR

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Imagen CMLT3906E TR

Central Semiconductor

CMLT3906E TR

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Especificaciones

Número de pieza

CMLT3906E TR
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 60V 0.2A SOT563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CMLT3906E TR.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor

2 PNP (Dual)
Paquete del dispositivo

SOT-563
Serie

-
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

CMLT3906E TR-ND
CMLT3906ETR
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

300MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 300MHz 150mW Surface Mount SOT-563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

200mA

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