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CP647-MJ11015-WN

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CP647-MJ11015-WN
  • Fabricante / Marca
    Central Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    CP647-MJ11015-WN.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    120V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    4V @ 300mA, 30A
  • Tipo de transistor
    PNP - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    Die
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A Surface Mount Die
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 30A, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    30A

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