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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > CSICD05-1200 TR13
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5150562Imagen CSICD05-1200 TR13Central Semiconductor

CSICD05-1200 TR13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CSICD05-1200 TR13
  • Fabricante / Marca
    Central Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CSICD05-1200 TR13.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.7V @ 5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1200V
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    CSICD05-1200 TR13 PBFREE
    CSICD05-1200 TR13 PBFREETR
    CSICD05-1200 TR13 PBFREETR-ND
    CSICD05-1200 TR13TR
    CSICD05-1200 TR13TR-ND
    CSICD05-1200TR13PBFREETR
    CSICD05-1200TR13PBFREETR-ND
    CSICD05-1200TR13TR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 5A Surface Mount DPAK
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    190µA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    5A
  • Capacitancia Vr, F
    240pF @ 1V, 1MHz

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