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4456916Imagen CTLDM303N-M832DS TRCentral Semiconductor

CTLDM303N-M832DS TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CTLDM303N-M832DS TR
  • Fabricante / Marca
    Central Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CTLDM303N-M832DS TR.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.2V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    TLM832DS
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    40 mOhm @ 1.8A, 4.5V
  • Potencia - Max
    1.65W
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    8-TDFN Exposed Pad
  • Otros nombres
    CTLDM303N-M832DS DKR
    CTLDM303N-M832DS DKR-ND
    CTLDM303N-M832DSDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    590pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    13nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.65W Surface Mount TLM832DS
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    3.6A

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Descripción: LADDER TIE: PVC OVER 316 STAINLE

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