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CTLDM8002A-M621H TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CTLDM8002A-M621H TR
  • Fabricante / Marca
    Central Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 50V DFN6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CTLDM8002A-M621H TR.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TLM621H
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.5 Ohm @ 500mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.6W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-XFDFN Exposed Pad
  • Otros nombres
    CTLDM8002A-M621H TR-ND
    CTLDM8002A-M621HTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    70pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    0.72nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    50V
  • Descripción detallada
    P-Channel 50V 280mA (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TLM621H
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    280mA (Ta)

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