CXDM4060P TR

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Especificaciones

Número de pieza

CXDM4060P TR
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
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Descripción

MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CXDM4060P TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-89
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.2W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-243AA
Otros nombres

CXDM4060P TR LEAD FREE
CXDM4060P TR PBFREE
CXDM4060P TR-ND
CXDM4060PTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

P-Channel 40V 6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

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