1N4007B-G

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Especificaciones

Número de pieza

1N4007B-G
Fabricante / Marca

Comchip Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1N4007B-G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.1V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1000V
Paquete del dispositivo

DO-41
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

DO-204AL, DO-41, Axial
Otros nombres

1N4007B-G-ND
641-1967
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz
Número de pieza base

1N4007

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