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6980938Imagen A1N4007G-GComchip Technology

A1N4007G-G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    A1N4007G-G
  • Fabricante / Marca
    Comchip Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    A1N4007G-G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1000V
  • Paquete del dispositivo
    DO-41
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • embalaje
    Tape & Box (TB)
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Otros nombres
    641-1795-2
    641-1795-2-ND
    641-1795-3
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 125°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO221AC

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Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27

Fabricantes: Comchip Technology
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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1.5A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
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