CJ3139KDW-G

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Especificaciones

Número de pieza

CJ3139KDW-G
Fabricante / Marca

Comchip Technology
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CJ3139KDW-G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SOT-363
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

520 mOhm @ 1A, 4.5V
Potencia - Max

150mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

641-1793-1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 660mA (Ta) 150mW Surface Mount SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

660mA (Ta)

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