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4495304Imagen CY14B512J2-SXICypress Semiconductor

CY14B512J2-SXI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY14B512J2-SXI
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC NVSRAM 512K I2C 3.4MHZ 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CY14B512J2-SXI.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    428-3165
    CY14B512J2SXI
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Kb (64K x 8)
  • Interfaz de memoria
    I²C
  • Formato de memoria
    NVSRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 512Kb (64K x 8) I²C 3.4MHz 8-SOIC
  • Frecuencia de reloj
    3.4MHz
  • Número de pieza base
    CY14B512

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Descripción: IC NVSRAM 256K SPI 40MHZ 16SOIC

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Descripción: IC NVSRAM 256K SPI 40MHZ 8SOIC

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