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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY14E256L-SZ35XI
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282521Imagen CY14E256L-SZ35XICypress Semiconductor

CY14E256L-SZ35XI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY14E256L-SZ35XI
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CY14E256L-SZ35XI.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    35ns
  • Suministro de voltaje
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnología
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Paquete del dispositivo
    32-SOIC
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Kb (32K x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    NVSRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 35ns 32-SOIC
  • Número de pieza base
    CY14*256
  • Tiempo de acceso
    35ns

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Descripción: IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

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Descripción: IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

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Descripción: IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

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