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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY62147GN18-55BVXIT
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6221070Imagen CY62147GN18-55BVXITCypress Semiconductor

CY62147GN18-55BVXIT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY62147GN18-55BVXIT
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 4M PARALLEL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CY62147GN18-55BVXIT.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    55ns
  • Suministro de voltaje
    1.65 V ~ 2.2 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    48-VFBGA (6x8)
  • Serie
    MoBL®
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    48-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    11 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 55ns 48-VFBGA (6x8)
  • Tiempo de acceso
    55ns

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Descripción: MICROPOWER SRAMS

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC

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