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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY62167GE30-45BV1XI
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4703288Imagen CY62167GE30-45BV1XICypress Semiconductor

CY62167GE30-45BV1XI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY62167GE30-45BV1XI
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CY62167GE30-45BV1XI.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    45ns
  • Suministro de voltaje
    2.2 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    48-VFBGA (6x8)
  • Serie
    MoBL®
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    48-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    16Mb (2M x 8, 1M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Parallel 45ns 48-VFBGA (6x8)
  • Tiempo de acceso
    45ns

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Fabricantes: Cypress Semiconductor
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CY62167GN-45ZXI

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Descripción: IC SRAM 16M PARALLEL

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CY62167GN18-55BVXIT

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Descripción: IC SRAM 16M PARALLEL

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Descripción: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

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CY62167GN30-45BVXI

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Descripción: IC SRAM 16M PARALLEL 48BGA

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