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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C1021BN-12VXIT
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3620629Imagen CY7C1021BN-12VXITCypress Semiconductor

CY7C1021BN-12VXIT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY7C1021BN-12VXIT
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CY7C1021BN-12VXIT.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    12ns
  • Suministro de voltaje
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    44-SOJ
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1Mb (64K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 12ns 44-SOJ
  • Número de pieza base
    CY7C1021
  • Tiempo de acceso
    12ns

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