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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C1312CV18-200BZC

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Imagen CY7C1312CV18-200BZC

Cypress Semiconductor

CY7C1312CV18-200BZC

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Especificaciones

Número de pieza

CY7C1312CV18-200BZC
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

CY7C1312CV18-200BZC.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnología

SRAM - Synchronous, QDR II
Paquete del dispositivo

165-FBGA (13x15)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

165-LBGA
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

18Mb (1M x 18)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 165-FBGA (13x15)
Frecuencia de reloj

200MHz
Número de pieza base

CY7C1312

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