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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C1318KV18-250BZI
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4769248Imagen CY7C1318KV18-250BZICypress Semiconductor

CY7C1318KV18-250BZI

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272+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY7C1318KV18-250BZI
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    CY7C1318KV18-250BZI.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SRAM - Synchronous, DDR II
  • Paquete del dispositivo
    165-FBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    165-LBGA
  • Otros nombres
    CY7C1318KV18250BZI
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    18Mb (1M x 18)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15)
  • Frecuencia de reloj
    250MHz
  • Número de pieza base
    CY7C1318

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Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

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CY7C1318KV18-333BZC

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CY7C1318CV18-200BZI

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CY7C1319CV18-250BZC

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