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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C1354DV25-200BZI
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2206721Imagen CY7C1354DV25-200BZICypress Semiconductor

CY7C1354DV25-200BZI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY7C1354DV25-200BZI
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 9M PARALLEL 165FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    2.375 V ~ 2.625 V
  • Tecnología
    SRAM - Synchronous
  • Paquete del dispositivo
    165-FBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    165-LBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    9Mb (256K x 36)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.2ns 165-FBGA (13x15)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    CY7C1354
  • Tiempo de acceso
    3.2ns

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Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

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Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

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Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

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