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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C1370DV25-200AXC
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6631940Imagen CY7C1370DV25-200AXCCypress Semiconductor

CY7C1370DV25-200AXC

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY7C1370DV25-200AXC
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CY7C1370DV25-200AXC.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    2.375 V ~ 2.625 V
  • Tecnología
    SRAM - Synchronous
  • Paquete del dispositivo
    100-TQFP (14x20)
  • Serie
    NoBL™
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    100-LQFP
  • Otros nombres
    428-2138
    CY7C1370DV25-200AXC-ND
    CY7C1370DV25200AXC
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    18Mb (512K x 36)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 100-TQFP (14x20)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    CY7C1370
  • Tiempo de acceso
    3ns

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Fabricantes: Cypress Semiconductor
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CY7C1370D-200BZIT

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