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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C1623KV18-333BZXC

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Imagen CY7C1623KV18-333BZXC

Cypress Semiconductor

CY7C1623KV18-333BZXC

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Especificaciones

Número de pieza

CY7C1623KV18-333BZXC
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CY7C1623KV18-333BZXC.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnología

SRAM - Synchronous, DDR II
Paquete del dispositivo

165-FBGA (15x17)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

165-LBGA
Otros nombres

CY7C1623KV18333BZXC
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

144Mb (8M x 18)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 144Mb (8M x 18) Parallel 333MHz 165-FBGA (15x17)
Frecuencia de reloj

333MHz
Número de pieza base

CY7C1623

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