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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C199CN-12VXAT

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Imagen CY7C199CN-12VXAT

Cypress Semiconductor

CY7C199CN-12VXAT

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Especificaciones

Número de pieza

CY7C199CN-12VXAT
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CY7C199CN-12VXAT.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

12ns
Suministro de voltaje

4.5 V ~ 5.5 V
Tecnología

SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo

28-SOJ
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

256Kb (32K x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 12ns 28-SOJ
Número de pieza base

CY7C199
Tiempo de acceso

12ns

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