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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C4141KV13-667FCXC

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Imagen CY7C4141KV13-667FCXC

Cypress Semiconductor

CY7C4141KV13-667FCXC

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Especificaciones

Número de pieza

CY7C4141KV13-667FCXC
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CY7C4141KV13-667FCXC.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.26 V ~ 1.34 V
Tecnología

SRAM - Synchronous, QDR IV
Paquete del dispositivo

361-FCBGA (21x21)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

361-BBGA, FCBGA
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

144Mb (4M x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Synchronous, QDR IV Memory IC 144Mb (4M x 36) Parallel 667MHz 361-FCBGA (21x21)
Frecuencia de reloj

667MHz

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