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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CYD18S36V18-200BBAXI

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Imagen CYD18S36V18-200BBAXI

Cypress Semiconductor

CYD18S36V18-200BBAXI

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Especificaciones

Número de pieza

CYD18S36V18-200BBAXI
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CYD18S36V18-200BBAXI.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Synchronous
Paquete del dispositivo

256-FBGA (17x17)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

256-LBGA
Otros nombres

CYD18S36V18200BBAXI
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

18Mb (512K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)
Frecuencia de reloj

200MHz
Número de pieza base

CYD18S36
Tiempo de acceso

3.3ns

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