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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CYD36S18V18-200BGXC
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6437988Imagen CYD36S18V18-200BGXCCypress Semiconductor

CYD36S18V18-200BGXC

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CYD36S18V18-200BGXC
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CYD36S18V18-200BGXC.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Paquete del dispositivo
    484-FBGA (23x23)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    484-FBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    36Mb (2M x 18)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 200MHz 3.3ns 484-FBGA (23x23)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    CYD36S18
  • Tiempo de acceso
    3.3ns

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Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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CYD18S72V18-200BGXI

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Descripción: IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA

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CYD36S36V18-133BBXC

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CYD18S72V18-167BGC

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