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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CYDM064B08-40BVXI
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65341Imagen CYDM064B08-40BVXICypress Semiconductor

CYDM064B08-40BVXI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CYDM064B08-40BVXI
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    40ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SRAM - Dual Port, MoBL
  • Paquete del dispositivo
    100-VFBGA (6x6)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    100-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    64Kb (8K x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 40ns 100-VFBGA (6x6)
  • Número de pieza base
    CYDM
  • Tiempo de acceso
    40ns

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