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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > S29GL064N11FFIV12

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Imagen S29GL064N11FFIV12

Cypress Semiconductor

S29GL064N11FFIV12

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Especificaciones

Número de pieza

S29GL064N11FFIV12
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

S29GL064N11FFIV12.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

110ns
Suministro de voltaje

1.65 V ~ 3.6 V
Tecnología

FLASH - NOR
Paquete del dispositivo

64-Fortified BGA (13x11)
Serie

GL-N
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

64-LBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

FLASH - NOR Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 110ns 64-Fortified BGA (13x11)
Tiempo de acceso

110ns

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