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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > S29GL064S80DHB023
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S29GL064S80DHB023

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S29GL064S80DHB023
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 64M PARALLEL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    S29GL064S80DHB023.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    60ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NOR
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100, GL-S
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NOR Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 80ns
  • Tiempo de acceso
    80ns

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Fabricantes: Cypress Semiconductor
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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL

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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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Descripción: IC NOR

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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

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Descripción: IC NOR

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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL

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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA

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