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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > S29GL512N11FFI023

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S29GL512N11FFI023

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1600+

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Especificaciones

Número de pieza

S29GL512N11FFI023
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC FLASH 512M PARALLEL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

S29GL512N11FFI023.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

110ns
Suministro de voltaje

2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología

FLASH - NOR
Serie

GL-N
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

512Mb (64M x 8, 32M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 110ns
Tiempo de acceso

110ns

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