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S29GL512T11DHB020

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    S29GL512T11DHB020
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    Cypress Semiconductor
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    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC 512 MB FLASH MEMORY
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    S29GL512T11DHB020.pdf
  • Serie
    *
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    Memory IC

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