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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > S29GL512T13DHNV10
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S29GL512T13DHNV10

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S29GL512T13DHNV10
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 512M PARALLEL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    S29GL512T13DHNV10.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    60ns
  • Suministro de voltaje
    1.65 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NOR
  • Serie
    GL-T
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 130ns
  • Tiempo de acceso
    130ns

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Descripción: IC FLASH 512M PARALLEL

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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S29GL512T12TFN020

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Descripción: IC FLASH 512M PARALLEL

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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S29GL512T12DHVV10

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Descripción: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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Descripción: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

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Descripción: IC NOR

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Descripción: IC FLASH 512M PARALLEL

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Descripción: IC 512MB MEMORY

Fabricantes: Cypress Semiconductor Corp
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Descripción: IC FLASH 512M PARALLEL

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