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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > S29PL127J60BAI000A

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Especificaciones

Número de pieza

S29PL127J60BAI000A
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC FLASH MEM NOR 80FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

60ns
Suministro de voltaje

2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología

FLASH - NOR
Paquete del dispositivo

80-FBGA (8x11)
Serie

PL-J
Paquete / Cubierta

80-VFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

128M (8M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

FLASH - NOR Memory IC 128M (8M x 16) Parallel 60ns 80-FBGA (8x11)
Tiempo de acceso

60ns

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