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S29VS256R0SBHW003

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S29VS256R0SBHW003
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    S29VS256R0SBHW003.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    60ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    FLASH - NOR
  • Paquete del dispositivo
    44-FBGA (7.7x6.2)
  • Serie
    VS-R
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    44-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    22 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 108MHz 80ns 44-FBGA (7.7x6.2)
  • Frecuencia de reloj
    108MHz
  • Tiempo de acceso
    80ns

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Fabricantes: Cypress Semiconductor
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Descripción: IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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S29WS064RABBHI000

S29WS064RABBHI000

Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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S29VS256R0SBHW013

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Descripción: IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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S29VS256RABBHI000

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Descripción: IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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S29VS256R0SBHW000

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S29VS128RABBHI000

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Descripción: IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

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Descripción: IC 64 MB FLASH MEMORY

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S29VS128RABBHW013

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